医薬品分析化学: オープンアクセス

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オープンアクセス

ISSN: 2471-2698

概要

本来の状態における電荷の変換

サティシュ・タネル

Au 表面上の遷移金属ジカルコゲニド (TMD) MoS2、MoSe2、MoTe2 単分子層に対して X 線および紫外線光電子分光法を実施し、500 °C までのアニールによる電荷移動プロセスと構造相の変化を特定しました。TMD 単分子層と Au 表面の間隔が狭まるため電荷移動が発生するように見えますが、剥離 TMD の 2H から 1T への相変化の分光学的証拠は見つかりませんでした。Au 表面でアニールされた金属有機化学気相成長法で成長した TMD とヘリウムイオン照射された剥離 TMD の両方で、相転移として解釈されるスペクトルのシフトが見られますが、これは TMD/Au 混成、粒界、および Au 表面と相互作用する欠陥の結果です。

免責事項: この要約は人工知能ツールを使用して翻訳されたものであり、まだレビューまたは検証されていません。
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